財聯社
2025-05-14 
“有型號一個月上漲近50%！”AI火熱與原廠控盤催化DRAM新行情
財聯社5月13日訊（記者 王碧微）自2025年步入第二季度以來，DRAM市場“漲聲”不斷，部分細分領域更是供應緊俏。“有的型號一個月近乎漲了50%！”國內某存儲廠商高管透露。日前，又有媒體報道稱三星于本月初將DDR4價格上調 20%，DDR5上調約 5%。
多位產業鏈受訪人士在近日接受財聯社記者時均表示，此輪市場波動主要源于AI帶來HBM和服務器DRAM的增量需求后，三星、SK海力士等主流原廠的戰略性產能調整。
“近期原廠相繼發布了DDR4 EOL（生命周期結束）通知，考慮到服務器和PC等終端對D4產品仍有一定長尾需求，下游緊急建立DDR4庫存，令近期DDR4產品出現供應緊俏的情況。”CFM閃存市場分析師楊伊婷向記者表示道。
在此情況下，存儲原廠及囤貨充足的模組廠均有望受益。更加值得注意的是，隨著國際廠商的產能戰略調整以及供應鏈環境的變化，國內存儲廠商也迎來結構性機遇。
DRAM漲價潮起：AI“火熱”與原廠“控盤”
2025年伊始，DRAM市場供應趨緊的態勢已逐漸顯現。
深圳某存儲模組廠高管劉明在近期的市場交流中向財聯社記者提供了一個生動的市場觀察：“DRAM近期漲價很猛，尤其部分型號的DDR4，一個月漲幅接近50%了。你今天問我4塊錢，覺得貴了觀望一下，過幾天可能就4塊5了。”
她進一步解釋，由于三星、海力士、美光三大原廠的產能向高性能存儲傾斜，降低了利基型產品的庫存水位，以DDR4、LPDDR4等產品為代表的利基型 DRAM 價格自3月底開始有所回升。
“預計2Q25 PC DRAM及Mobile DRAM合約價將分別上漲3%～8%及0%～5%。這主要包括品牌商為避免潛在政策調整帶來的成本壓力而積極調整生產，帶動了DRAM采購需求；同時，三星及SK海力士正處于制程轉換期，且產能優先保障生產Server DRAM及HBM，導致PC DRAM及mobile DRAM的位元產出受限。” TrendForce集邦咨詢分析師許家源向財聯社記者分析稱。
現貨市場對此反應更為迅速，據市場調查公司DRAMeXchange數據，用于個人電腦的通用DRAM DDR4 8Gb（千兆字節）產品的固定交易價格為1.65美元，在4月共上漲22.22%；用于存儲卡和USB的128Gb MLC NAND閃存的固定交易價格為2.79美元，4月共上漲11.06%。
可以看出，此輪漲價潮的核心驅動力，指向AI對存儲需求的革命性影響，Yole Group在其近期報告中預測，主要用于AI的HBM市場營收將從2024年的170億美元增長到2030年的980億美元，年復合增長率高達33%。
SK海力士方面預計，到2025年其HBM銷售額將占其總內存銷售額的50%以上，該公司與美光科技的HBM產能在2025年均已完全分配完畢；美光科技更是在其截至2025年2月27日的財年第二季度實現了超過10億美元的HBM營收，其數據中心DRAM營收亦同比增長兩倍。HBM憑借其高帶寬、低延遲特性，成為AI服務器和高性能計算的標配，例如英偉達B200、H200系列GPU均需搭配HBM。
這種對HBM的旺盛需求，正顯著擠壓DRAM的整體產能，并推高其市場價值。在此背景下，產業鏈不同環節的受益程度呈現明顯分化，許家源和楊伊婷均向財聯社記者強調，DRAM原廠無疑是本輪漲價的最大受益者。
財報數據亦印證了這一點，SK海力士2025年第一季度實現營業利潤7.44萬億韓元，營業利潤率高達42%，據Counterpoint Research統計，其當季HBM市場份額更是高達70%，首次超越三星成為DRAM市場領導者。
美光科技2025財年第二季度Non-GAAP毛利率也達到了37.9%，HBM營收強勁。三星電子DS（設備解決方案）部門在2025年第一季度亦實現了1.1萬億韓元的營業利潤。
相比之下，模組廠商則普遍面臨較大經營壓力，許家源指出，由于終端需求傳導不暢，模組零售價漲幅往往難以完全覆蓋顆粒采購成本的上漲，楊伊婷則認為，漲價后廠商能否盈利，很大程度上取決于其前期低價庫存的消化情況以及成本控制能力。
財聯社記者注意到，A股存儲模組龍頭佰維存儲（688525.SH）在其2025年第一季度業績報告中披露凈虧損達1.97億元，公司解釋稱主要原因包括存儲芯片價格下滑（指部分非熱門型號或早期采購成本較高產品）、存貨減值準備增加以及AI終端產品模組實際交付量不及預期等；江波龍（301308.SZ）同期歸屬于上市公司股東的凈利潤亦虧損1.52億元，其在財報中也提及下游客戶消化庫存導致公司毛利率下滑。
HBM“引擎”持續轟鳴 傳統需求與國產化添變數
展望2025年下半年及未來，存儲市場機遇與不確定性并存。
許家源預計，在原廠位元產出持續受限的背景下，3Q25 DRAM合約價有望延續漲勢，但他也提醒，若上游政策調整帶來的成本壓力顯著傳導至終端消費意愿，不排除DRAM價格漲幅弱于預期的可能。
楊伊婷則判斷，今年存儲整體供應情況相對比較健康，下半年出貨旺季來臨后，市場整體成交預計將更為活躍，但“外圍局勢動蕩”及“需求端的實際變化”仍是影響后市的關鍵變量。
此外，HBM作為AI時代的關鍵部件，其需求預計將持續高熱，TechInsights在其最新的市場預測中指出，受AI應用中HBM和QLC NAND需求的強力驅動，2025年全球整體存儲芯片銷售額有望增長20%，達到2031億美元。
NAND Flash市場也逐步顯現復蘇跡象，TrendForce集邦咨詢預測，在制造商持續減產、智能手機產業鏈庫存逐步去化以及AI服務器對企業級SSD（eSSD）需求增長的共同作用下，NAND閃存和SSD價格在2025年第三季度預計將上漲10%～15%，第四季度或將進一步上漲8%～13%。
下游方面，傳統消費電子領域，AI PC和AI智能手機被行業寄予厚望，被視為可能攪動存量市場并激發換機需求的新增長點。
劉明認為，今年AI PC的普及以及各類AI大模型在終端的滲透，將為存儲帶來新的需求增量。
如在今年熱度較高的AI眼鏡領域，已有不少國產存儲廠商進展喜人。財聯社記者從業內了解到，康盈半導體的ePOP嵌入式存儲芯片目前已成功上機，成為AI眼鏡輕量化設計的重要解決方案；佰維存儲近期在業績交流會上表示，預計2025年公司面向AI眼鏡產品收入有望同比增長超500%。
不過，TrendForce集邦咨詢最新數據顯示，2025年筆記本電腦品牌的整體出貨量增長預期已有所下調，AI概念能否迅速轉化為大規模的終端消費需求，仍有待市場檢驗。
在此產業變革期，“國產化”為中國本土存儲廠商帶來了結構性的發展機遇，劉明就在與財聯社記者的交流中對此持樂觀態度：“2023年國產存儲芯片在全球市場的占比不足7%，但到了2024年已提升至約12%，增速非常可觀。我們預計今年國產占比還會繼續提高。”
她進一步分析，國際大廠如美光、三星等逐步退出部分中低階或特定類型產品的市場競爭，客觀上為本土廠商提供了寶貴的市場空間和客戶導入機會。“以長江存儲和長鑫存儲為代表的本土存儲器廠商在產品技術和市場拓展方面持續突破。長江存儲 128 層 NAND 閃存已經量產，并且已向少數客戶交付 192 層 3D NAND 閃存樣品；長鑫存儲在 DRAM 領域也取得進展，為國內 DRAM 產業的發展奠定了基礎，國產存儲芯片在技術上不斷縮小與國際領先水平的差距，有較大的技術追趕空間和市場替代空間。”
“同時，經過這幾年的市場培育和貿易環境變化，客戶對國產存儲芯片的接受度和使用意愿已大幅提升。”劉明進一步表示。
國內另一存儲芯片廠商高管也在近日接受財聯社記者采訪時表示，此前進入如汽車等高端產品線時驗證期常常需要2-3年，現在時間大大縮短，“我們的新品還沒發布就已經有廠商來談合作了。”
兆易創新（603986.SH）在其2024年報中亦提及，隨著國際大廠逐步淡出利基型DRAM市場，有望為深耕此領域的國內廠商帶來市占率提升的契機。
值得注意的是，國產存儲的崛起之路也并非坦途，本土企業在HBM、最先進DRAM制程等尖端技術領域與國際巨頭相比仍存在較為明顯的技術代差和專利壁壘。
此外，多數A股存儲模組廠商目前業務重心仍在消費電子市場，業績表現易受該市場周期性波動的顯著影響，且面臨激烈的價格競爭。供應鏈的自主可控能力，特別是上游關鍵設備、材料以及高端晶圓的穩定獲取，仍是制約部分本土企業發展的關鍵瓶頸。
（文中采訪對象劉明為化名）
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