財聯社記者王碧微
2024-11-27 
存儲市場喜憂參半！企業級、消費級需求分化“愈演愈烈”國產HBM已“在路上”|行業觀察
11月26日訊（記者 王碧微）眼下，存儲市場正面臨著AI需求持續高漲以及消費終端市場萎靡帶來的產品需求分化。多位企業、分析人士在近日接受記者采訪時用“冰火兩重天”來形容存儲市場目前的狀態。慧榮科技(SIMO.US)CAS業務群資深副總段喜亭向記者透露，一方面企業級產品需求高漲，“常常接到客戶的電話，問我們的企業級產品什么時候可以出貨”；另一方面模組廠商和其下游客戶在進行“價格戰”，出貨仍不暢旺。
展望后市，多位受訪者告訴記者，這樣的趨勢預計延續至明年。
TrendForce 集邦咨詢分析預計，明年傳統DRAM中先進制程產品價格預計穩健、成熟制程則有跌價風險；NAND企業級及消費級產品價格仍分化，整體價格則預計在年初下跌、年中后回暖。值得一提的是，被視作目前GPU最佳存儲解決方案的HBM芯片目前仍處供不應求狀態，除三星、海力士等海外供應商正積極擴產外，國產玩家亦已經“在路上”。
存儲市場陷“冰火兩重天”
2023年Q4開始，存儲行業進入強勢漲價周期。以DRAM為例，TrendForce 集邦咨詢數據顯示，從去年Q4到今年Q3，DRAM連續四個季度價格飆漲，季漲幅均超10%。
然而此次漲價主要系原廠不堪忍受虧損并非需求大幅增長促進帶來，這令本不暢旺的消費級存儲市場更加低迷。
“2024年，存儲產業經歷了‘冰火兩重天’的行情。一方面消費電子存儲市場表現低迷，智能手機、筆電市場呈現出旺季不旺的景象；另一方面，AI對存儲產品性能提出更高要求，助推高端存儲產品價格持續上漲。”時創意董事長倪黃忠日前在集邦咨詢存儲產業趨勢研討會上接受記者采訪時表示道。
在此情況下，下半年存儲原廠與模組、終端廠商的盈利能力出現分歧。
原廠三星電子今年Q3總營收達79.1萬億韓元（約573億美元），同比增長17.3%，環比增長7%；海力士Q3營業收入為17.57萬億韓元，環比增長7%，同比增長94%，創歷史新高。
另一方面，慧榮科技CAS業務群資深副總段喜亭告訴記者，“在下游需求不暢旺的情況下，很多模組廠商及很多客戶就開始殺價競爭，因為想要出貨，所以導致價格非常疲軟。然而即使終端價格疲軟，出貨量還不是很順暢，因為降價并沒有將需求端刺激起來。”
以小米為例，今年Q3小米集團（01810.HK）智能手機ASP由2023年第三季度的每部997.0元上漲10.6%至今年的每部1102.2元；智能手機毛利率卻由2023年第三季度的16.6%減少至2024年第三季度的11.7%。總裁盧偉冰在財報電話會上稱，這與第三季度是內存價格的最高峰及產品的發布時間和節奏有關。
因此，不少消息稱終端廠商減少存儲備貨。以模組等中下游環節為主的國內存儲商們則壓力較大，如佰維存儲(688525.SH)、江波龍（301308.SZ）等國產存儲模組廠商均在Q3出現了凈利潤虧損的情況。
值得一提的是，近期存儲產品的現貨價格下跌嚴重，部分低容量內存條近半年多跌幅已逾40%。集邦咨詢資深研究副總經理郭祚榮告訴記者，除需求不振外，還存在一些其他因素，“近期的存儲現貨跌價嚴重，實際上與一些廠商將二手內存條拆成顆粒，打成一般消費型的內存出貨有關，擾亂了整個市場。”
“但在企業級存儲方面，現在是非常火熱，常常接到客戶的電話，問我們什么時候可以搞定，可以出貨等等，所以目前的狀況是非常兩極化。”段喜亭向記者表示道。
根據集邦咨詢數據，今年Q4，在經歷了Q3至高20%的漲價后，企業級SSD仍預計單季增長0-5%，而NAND整體的卻預計在當季下跌3-8%。
“AI的風還目前停留在資料中心，暫時沒有吹到終端設備上面來。”對于這種分歧的原因，段喜亭總結道。
傳統產品分化趨勢仍延續 HBM具有確定性
“我認為明年這種分化其實還是非常嚴重的。 AI的熱度還是持續，但是價格會往下走一些；消費類的存儲會回歸到一個相對健康的狀態。”倪黃忠說。
傳統DRAM方面，集邦咨詢分析師吳雅婷表示，2025年制程較成熟的DDR4和LPDDR4X因供應充足、需求減弱，目前價格已呈現跌勢；DDR5與LPDDR5X等先進制程產品的需求展望尚不明確，加上部分買賣方庫存水位偏高，價格不排除于今年第四季底開始下跌。在此情況下，集邦咨詢預計傳統DRAM在明年每季下跌3-8%。
NAND方面，在今年價格整體上漲了約43~48%的情況下，集邦咨詢預計明年整體的合約價預計上漲15~20%，主要來自于企業級SSD年漲23~28%的促進。不過，明年的漲價主要會在下半年發生，Q2之前NAND市場整體價格較為平穩。
相較于傳統DRAM及NAND目前的尷尬處境，因AI服務器而異軍突起的HBM則仍維持強勢。
吳雅婷表示，目前HBM部分供應商已完成合約價商談，預計同產品價格上漲10%；而HBM3e12hi的量產將進一步帶動均價上漲；整體來看，HBM的需求量增長達到117%。
問及其他存儲芯片在GPU等AI芯片生產中能否替代HBM，段喜亭直言：“放眼目前可見的未來，還看不到HBM的替代品”。
HBM即高帶寬存儲，屬于DRAM大類。其內部由多層DRAM Die垂直堆疊，每層Die通過硅通孔（TSV）技術實現與邏輯Die連接，使得8層、12層Die封裝于小體積空間中，從而實現小尺存與高帶寬、高傳輸速度的兼容。
段喜亭解釋稱，GPU在做大語言模型運算的時候，會一次性吸收巨量的數據進行運算，提供的數據越多，其運算效率越高，因此對于存儲的資料吞吐量要求很高。單顆的DRAM資料存儲量很低，資料吞吐量不夠，因此需要使用把DRAM 堆疊起來做成的HBM。
目前，已量產出貨的HBM中仍未見國產廠商身影，不過郭祚榮告訴記者，或許將在2-3年內國產HBM就將有較大突破。
“之前有聽到國內的內存廠開始做HBM的消息，我覺得以國內廠商的研發能力來說，兩三年之內應該可以看到國產HBM開始供貨。從工廠的技術設備等硬實力方面來說，我覺得是足夠的。”郭祚榮告訴記者。
如長江存儲集團下的武漢新芯公司于今年三月發布了《高帶寬存儲芯粒先進封裝技術研發和產線建設》招標項目，表示將利用三維集成多晶圓堆疊技術，打造更高容量、更大帶寬、更小功耗和更高生產效率的國產高帶寬存儲器(HBM)產品。日前，該公司已在湖北證監局披露IPO輔導備案報告，
此外，長電科技（600584.SH）、芯碁微裝(688630.SH)、通富微電（002156.SZ）等封裝廠商均在布局支持HBM生產的相關技術。
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