科創板日報
2023-11-29 
SK海力士嘗鮮該封裝方案將首次應用于存儲芯片最早明年推出
《科創板日報》11月28日訊（編輯 宋子喬） 在推進HBM迭代的同時，SK海力士還在探索成本更低的內存芯片封裝方法。
根據韓媒Business Korea報道，業內人士透露，SK海力士準備在下一代DRAM中應用2.5D扇出（2.5D fan-out）封裝技術，最快將在2024年發布相關方案。
這種技術將兩個DRAM芯片水平并排放置，然后將它們組合成一個芯片，由于芯片下方沒有添加基板，能使芯片更薄，安裝在IT設備時的芯片厚度能大幅減少。
值得注意的是，扇出技術是比其他封裝類型具有更多I/O的小型封裝，以前從未用于存儲行業，而是主要應用于半導體制造領域。
2016年，蘋果借助臺積電的扇出晶圓級封裝（FOWLP）技術，將其16納米應用處理器與移動DRAM整合到iPhone 7的一個封裝中，從而將這項技術推向舞臺；三星電子從今年第四季度開始將這項技術引入到Galaxy智能手機的先進AP封裝中。
▌SK海力士“兩條腿走路” 降本或成最大動力
先進封裝為延續摩爾定理、提升芯片性能及集成度提供技術支持，隨著生成式AI的發展，算力需求井噴，對芯片性能提出了更高的要求。HBM在帶寬、功耗、封裝體積方面具備明顯優勢，目前，高端AI服務器GPU搭載HBM芯片已成主流。
SK海力士是HBM方案的強有力推動者，按照之前的計劃，SK海力士最早將在2026年量產第六代HBM，即HBM 4，其將擁有12層或16層DRAM。SK海力士還透露，將把下一代后處理技術“混合鍵合”應用于HBM 4產品。
HBM為3D封裝最典型應用，通過將多個DRAM芯片堆疊在一起，實現了更高的存儲帶寬和更低的延遲，而扇出封裝技術屬于2.5D封裝方案。
這家存儲龍頭公司如今選擇“兩條腿走路”，降本或成其探索新路徑的最大動力。
HBM由于其復雜的設計及封裝工藝導致產能較低同時成本較高。BusinessKorea報道稱，業界認為2.5D扇出封裝技術可以跳過硅通孔（TSV）工藝來降低成本，同時增加輸入/輸出（I/O）接口的數量。業界推測，這種封裝技術將應用于圖形DRAM（即GDDR，廣泛用于高性能3D游戲、個人電腦、筆記本電腦或播放高分辨率視頻的設備中），以及其他需要擴展信息I/O的領域。
從投資角度看，綜合東方證券和華金證券研報，TSV貫穿2.5D/3D封裝應用，TSV工藝包含晶圓的表面清洗、光刻膠圖案化、干法/濕法蝕刻溝槽、氣相沉積、通孔填充、化學機械拋光等幾種關鍵工藝，運用到晶圓減薄機、掩膜設備、涂膠機、激光打孔機、電鍍設備、濺射臺、光刻機、刻蝕機，同時配套的電鍍液、靶材、特種氣體、塑封料等需求亦有望快速提升。
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