新火種
2023-11-11 
明年資本開支最高增67%！存儲龍頭擬76億美元擴產指向這兩大方向
《科創板日報》11月10日訊（編輯 鄭遠方）據韓國經濟日報及BusinessKorea消息，作為全球第二大內存芯片廠商，SK海力士預計行業即將好轉，正大幅提高DRAM設施的資本開支，以提高先進芯片產量。
據悉，SK海力士已決定在2024年預留約10萬億韓元（約合76億美元）的設施資本支出——相較今年6萬億-7萬億韓元的預計設施投資，增幅高達43%-67%。這一數字也超出了市場預期，此前韓國證券業內預測，SK海力士明年的投資額將與今年持平。
SK海力士這筆資本開支意在滿足AI時代激增的需求，投資將聚焦于兩方面：
第一是為高附加值DRAM芯片擴建設施，包括HBM3、DDR5及LPDDR5；第二則是升級HBM的TSV（硅通孔）先進封裝技術。
在上個月末的財報會議上，SK海力士曾透露，2024年的HBM3與HBM3E產能已全部售罄，正在與客戶、合作伙伴討論2025年HBM產量與供應。而本次報道指出，不僅是2024年的產能，SK海力士HBM 2025年的預期產能也出現了完全售罄的跡象。
而本次資本開支重點之一的TSV技術，也有助于幫助擴大HBM產能。TSV技術是一種垂直互聯技術。與平面互聯的方式相比，TSV可以減小互聯長度和信號延遲，降低寄生電容和電感，實現芯片的低功耗和高速通信，增加帶寬和實現封裝的小型化。例如，英偉達的A100產品便應用了TSV技術。
但與DRAM形成鮮明對比的是，SK海力士預計明年上半年NAND閃存市場依舊疲軟，公司將限制NAND閃存投資，甚至計劃降至最低水平。
▌三星給出類似策略 存儲大廠DRAM供應量明年下半年或大幅增長
“擴產高附加值DRAM、控制NAND產量”——這也是另一家存儲巨頭三星的選擇。三星電子已計劃到明年上半年為止，將NAND生產量削減規模擴大40%-50%
韓國經濟日報另一篇報道指出，三星將持續削減整體DRAM芯片產量，至少持續至今年年底；公司將在明年初密切觀察市場趨勢后，決定何時、增加多少存儲芯片產量。
不過需要注意的是，三星在今年4月以來，一直削減的是DDR4 DRAM、128層NAND閃存等傳統芯片。公司此前已明確表示，將繼續投資先進DRAM芯片的基礎設施建設，并擴大研發支出，以鞏固其長期市場領導地位。
而11月6日也已有消息指出，三星電子為了擴大HBM產能，已收購三星顯示（Samsung Display）天安廠區內部分建筑及設備，用于HBM生產。三星電子計劃在天安廠建立一條新封裝線，用于大規模生產HBM，公司已花費105億韓元購買上述建筑和設備等，預計追加投資7000億-1萬億韓元。
總體而言，業內人士預計，由于增加晶圓投入后，一般需要3-4個月才能看到芯片產量實際增長，因此最早明年二季度有望迎來DRAM供應增加。行業觀察人士則預計，主要芯片制造商的DRAM芯片供應量將在2024年下半年出現大幅增長。
而大多數芯片制造商都認為，鑒于客戶的NAND芯片庫存水平較高，NAND閃存芯片的復蘇將晚于DRAM。
據《科創板日報》不完全統計，A股中SK海力士供應商包括：
另外，中泰證券10月27日報告認為，存儲股價、估值、盈利具備大彈性，復蘇量價齊升邏輯佳，存儲價格拐點已現，存儲是板塊性投資機會，建議積極關注大陸存儲標的：兆易創新、東芯股份、江波龍、德明利、佰維存儲、深科技、普冉股份、香農芯創、北京君正、恒爍股份、聚辰股份等。
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