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·成熟芯片代工廠難以承接小量創(chuàng)新產(chǎn)品產(chǎn)出，實驗室無法工程化創(chuàng)新成果，比如生產(chǎn)所需的MOCVD（金屬有機化學(xué)氣相沉積）外延爐設(shè)備一臺就要耗資上千萬元人民幣，一條光電子芯片產(chǎn)線造價數(shù)以億元計，這對于幾乎沒有營收的初創(chuàng)企業(yè)來說是天文數(shù)字。

·陜西光電子先導(dǎo)院先進光子器件工程創(chuàng)新平臺將解決第三代化合物半導(dǎo)體芯片制造的外延生長與制程等關(guān)鍵問題，具備光子芯片制程中的光刻、刻蝕、蒸鍍等多項核心工藝，將為光子產(chǎn)業(yè)項目提供產(chǎn)品研發(fā)、中試、檢測等技術(shù)服務(wù)。

MOCVD設(shè)備。

3月30日，陜西光電子先導(dǎo)院先進光子器件工程創(chuàng)新平臺在西安全面啟用，該平臺具備光子芯片制程中的光刻、刻蝕、蒸鍍等多項核心工藝，將為光子產(chǎn)業(yè)項目提供產(chǎn)品研發(fā)、中試、檢測等技術(shù)服務(wù)，為光子產(chǎn)業(yè)各類創(chuàng)新主體打通從產(chǎn)品研發(fā)到市場化批量供貨的完整鏈條。

先進光子器件工程創(chuàng)新平臺占地30畝，建有中試車間、中試大樓、綜合樓和動力站等研發(fā)和中試配套設(shè)施。一期專業(yè)設(shè)備100余臺（套），具備以GaAs（砷化鎵）、GaN（氮化鎵）為主線，圍繞6英寸化合物芯片工藝服務(wù)能力的柔性中試平臺，以技術(shù)服務(wù)與工程代工相結(jié)合的形式，為光子產(chǎn)業(yè)孵化項目提供產(chǎn)品研發(fā)、中試、檢測等技術(shù)服務(wù)。

同時，先進光子器件工程創(chuàng)新平臺將解決第三代化合物半導(dǎo)體芯片制造的外延生長與制程等關(guān)鍵問題，為光電芯片、功率器件、射頻器件等芯片設(shè)計企業(yè)、高校、科研院所提供外延生長、光刻、刻蝕、薄膜制備、清洗、減薄、拋光、劃片等芯片制造服務(wù)。

技術(shù)人員正在清理MOCVD設(shè)備腔體。

成熟芯片代工廠難以承接小量創(chuàng)新產(chǎn)品產(chǎn)出，實驗室無法工程化創(chuàng)新成果，比如生產(chǎn)所需的MOCVD（金屬有機化學(xué)氣相沉積）外延爐設(shè)備一臺就要耗資上千萬元人民幣，一條光電子芯片產(chǎn)線造價數(shù)以億元計，這對于幾乎沒有營收的初創(chuàng)企業(yè)來說是天文數(shù)字。

2015年10月，陜西省科技廳、西安高新技術(shù)開發(fā)區(qū)與中國科學(xué)院西安光機所聯(lián)合發(fā)起成立了陜西光電子先導(dǎo)院。陜西光電子先導(dǎo)院通過稀缺平臺資源和專業(yè)技術(shù)服務(wù)，實現(xiàn)工程化銜接。

目前，陜西光電子先導(dǎo)院已培育和聚集了近百家光子產(chǎn)業(yè)企業(yè)。未來將立足光子制造、光子材料與芯片、光子傳感三大重點領(lǐng)域，引領(lǐng)光電行業(yè)發(fā)展。

涂膠顯影設(shè)備。

中國科學(xué)院西安分院院長趙衛(wèi)表示：“希望陜西光電子先導(dǎo)院先進光子器件創(chuàng)新平臺啟用后，能夠吸引更多光子產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新要素匯聚陜西，攻關(guān)一批引領(lǐng)未來的關(guān)鍵核心技術(shù)，培育一批具有先發(fā)優(yōu)勢和全球競爭力的光子產(chǎn)業(yè)冠軍企業(yè)，推動光子產(chǎn)業(yè)進一步向集群化、規(guī)模化發(fā)展。”