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智通財(cái)經(jīng)APP獲悉，根據(jù)CINNO Research最新統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)，2024年中國(含臺(tái)灣)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)項(xiàng)目投資總額為6,831億人民幣，較去年同期下降41.6%。盡管如此，細(xì)分領(lǐng)域的數(shù)據(jù)顯示，半導(dǎo)體設(shè)備投資逆勢增長1.0%，達(dá)到402.3億人民幣，成為唯一實(shí)現(xiàn)正增長的投資類別。

從投資結(jié)構(gòu)來看，晶圓制造仍是資金的主要流向，2024年投資金額為2,569億人民幣，占比37.6%，但同比下降35.2%。芯片設(shè)計(jì)領(lǐng)域投資額為1,798億人民幣，占比26.3%，同比下降39.5%。半導(dǎo)體材料和封裝測試領(lǐng)域的投資降幅更為顯著，分別下降50.0%和46.7%，投資金額為1,116億人民幣和945.1億人民幣，占比16.3%和13.8%。盡管中國在半導(dǎo)體制造和設(shè)計(jì)領(lǐng)域持續(xù)發(fā)力，但全球需求疲軟、技術(shù)壁壘以及國際供應(yīng)鏈重組等多重因素對投資信心造成了一定壓力。

地域分布：高度集中，中國臺(tái)灣地區(qū)與江蘇領(lǐng)跑

根據(jù)CINNO Research最新統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)，從投資地域分布來看，2024年中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)投資涉及25個(gè)省市(含直轄市)，但資金分布高度集中。中國臺(tái)灣以37.2%的投資占比位居第一，成為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的核心投資區(qū)域。江蘇緊隨其后，占比14.7%。浙江、上海和北京分別以9.2%、6.3%和5.7%的占比位列第三至第五。前五個(gè)地區(qū)的投資總額占比高達(dá)73.1%，顯示出半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在地域上的高度集聚效應(yīng)。

這種集中化趨勢與地方產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ)、政策支持力度以及產(chǎn)業(yè)鏈配套能力密切相關(guān)。中國臺(tái)灣作為全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的重要基地，在晶圓制造和芯片設(shè)計(jì)領(lǐng)域具有顯著優(yōu)勢;江蘇則依托長三角地區(qū)的產(chǎn)業(yè)集群效應(yīng)，在半導(dǎo)體制造、封裝測試等領(lǐng)域占據(jù)重要地位。浙江、上海和北京等地在政策支持、人才儲(chǔ)備和市場資源方面也具有獨(dú)特優(yōu)勢。

內(nèi)外資分布：內(nèi)資主導(dǎo)，臺(tái)資占比顯著

從內(nèi)外資分布來看，2024年中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)投資以內(nèi)資為主，占比達(dá)到62.5%，顯示出中國在推動(dòng)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)自主化方面的決心。臺(tái)資占比為36.8%，憑借其在晶圓制造和芯片設(shè)計(jì)領(lǐng)域的技術(shù)積累，繼續(xù)發(fā)揮重要的市場作用。

材料領(lǐng)域投資：硅片與第三代半導(dǎo)體成焦點(diǎn)

根據(jù)CINNO Research最新統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)，在半導(dǎo)體材料領(lǐng)域，2024年投資資金按項(xiàng)目類別分布顯示，硅片投資占比最高，達(dá)到36.4%，投資金額為406.3億人民幣。硅片作為半導(dǎo)體制造的核心材料，其投資規(guī)模反映了中國在提升晶圓制造能力方面的持續(xù)努力。

此外，第三代半導(dǎo)體材料(SiC/GaN)投資占比為20.5%，投資金額達(dá)到228.6億人民幣。SiC/GaN材料在新能源汽車、5G通信和能源電力等領(lǐng)域的應(yīng)用前景廣闊，其投資增長表明中國正在加速布局下一代半導(dǎo)體技術(shù)，以搶占未來產(chǎn)業(yè)制高點(diǎn)。

從全球視角來看，2024年半導(dǎo)體行業(yè)正處于周期性調(diào)整階段。盡管人工智能、5G和物聯(lián)網(wǎng)等新興技術(shù)驅(qū)動(dòng)長期需求增長，但全球經(jīng)濟(jì)放緩和地緣政治緊張局勢對行業(yè)投資產(chǎn)生了抑制作用。中國作為全球最大的半導(dǎo)體消費(fèi)市場，其投資動(dòng)態(tài)不僅影響本土產(chǎn)業(yè)格局，也對全球供應(yīng)鏈的穩(wěn)定性產(chǎn)生深遠(yuǎn)影響。

美國的出口管制政策對中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)構(gòu)成了短期挑戰(zhàn)，但也加速了中國在設(shè)備、材料等關(guān)鍵領(lǐng)域的自主創(chuàng)新步伐。隨著全球半導(dǎo)體市場逐步復(fù)蘇，中國有望在硅片、第三代半導(dǎo)體材料以及設(shè)備制造等領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)更大突破，進(jìn)一步鞏固其在全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈中的地位。同時(shí)，地域集中度的提升和內(nèi)外資結(jié)構(gòu)的優(yōu)化，也將為中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的可持續(xù)發(fā)展提供更強(qiáng)動(dòng)力。

展望未來，中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的投資趨勢將取決于多重因素，包括政策支持力度、技術(shù)突破進(jìn)展以及國際合作的深化程度。盡管短期內(nèi)投資增速放緩，但中國在半導(dǎo)體設(shè)備、材料等關(guān)鍵領(lǐng)域的逆勢增長表明，其產(chǎn)業(yè)升級(jí)和自主創(chuàng)新的戰(zhàn)略方向并未改變。在全球半導(dǎo)體行業(yè)變革的背景下，中國通過聚焦關(guān)鍵領(lǐng)域的技術(shù)突破和產(chǎn)業(yè)鏈自主化，展現(xiàn)其應(yīng)對復(fù)雜國際環(huán)境的戰(zhàn)略韌性。