新火種
2024-11-20 
SK啟方半導(dǎo)體加大力度開(kāi)發(fā)GaN新一代功率半導(dǎo)體
韓國(guó)首爾2024年6月19日 /美通社/ -- 韓國(guó)8英寸晶圓代工廠SK啟方半導(dǎo)體（SK keyfoundry）今日宣布，已確保新一代功率半導(dǎo)體GaN（氮化鎵）的關(guān)鍵器件特性。公司正在加大GaN的開(kāi)發(fā)力度，力爭(zhēng)在年內(nèi)完成開(kāi)發(fā)工作。
SK啟 方半 導(dǎo) 體 持續(xù) 關(guān) 注著 GaN功率半 導(dǎo) 體的市 場(chǎng) 和潛力。 為 此，公司于 2022年成立了一 個(gè)專(zhuān)職團(tuán)隊(duì)來(lái) 推 動(dòng) GaN工 藝 的 開(kāi)發(fā) 。日前，公司已得到 650V GaN HEMT的新器件特性， 并計(jì)劃 在今年年底完成 開(kāi)發(fā)工作 。
由于 650V GaN HEMT具有 較 高的功率效率，因此 與 硅基 產(chǎn) 品相比，可以降低散 熱 器的成本。也正因如此， 與 硅基 產(chǎn) 品相比， 終 端客 戶(hù) 系 統(tǒng) 的價(jià)格差 異較 小。 該 公司 預(yù)計(jì) ，硅基 650V 產(chǎn) 品 將為 快速充 電 適配器、 LED照明、 數(shù) 據(jù)中心和 ESS以及太 陽(yáng) 能微型逆 變 器等市 場(chǎng) 的無(wú)晶 圓廠 客 戶(hù)帶來(lái)開(kāi)發(fā)優(yōu)質(zhì)產(chǎn) 品的 優(yōu)勢(shì) 。除了 爭(zhēng) 取新客 戶(hù) 外， SK 啟 方半 導(dǎo) 體 還計(jì)劃積極 向 對(duì) 650V GaN HEMT技 術(shù) 感 興 趣的 現(xiàn) 有功率半 導(dǎo) 體工 藝 客 戶(hù) 推廣 該 技 術(shù) 。
GaN具有高速開(kāi)關(guān)、低導(dǎo)通電阻等特性，與硅基半導(dǎo)體相比，具備低 損 耗、高效率和小型化的優(yōu)越特性 ，因此被稱(chēng)為新一代功率半導(dǎo)體。據(jù)市場(chǎng)調(diào)研 公司OMDIA預(yù)測(cè)，GaN功率半導(dǎo)體市場(chǎng)將以33%的復(fù)合年增長(zhǎng)率增長(zhǎng)，從2023年的5億美元增至2032年的64億美元，主要用于電源、混合動(dòng)力、電動(dòng)汽車(chē)以及太陽(yáng)能逆變器。
SK 啟 方半 導(dǎo) 體表示，公司 計(jì)劃 以 650V GaN HEMT 為 基 礎(chǔ) ，打造 GaN 產(chǎn) 品 組 合，可 為 GaN HEMT和GaN IC提供多 種電壓 支持 。
SK啟方半導(dǎo)體首席執(zhí)行官Derek D. Lee表示："除了具有競(jìng)爭(zhēng)力的高壓BCD外，我們還在為下一代功率半導(dǎo)體做準(zhǔn)備。我們還將擴(kuò) 大功率半 導(dǎo)體產(chǎn)品組合，未來(lái)除GaN以外，還將開(kāi)發(fā)SiC（碳化硅），以確立我們作為專(zhuān)業(yè)功率半導(dǎo)體代工廠的地位。"
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