新火種
2023-11-05 
方正證券：先進封裝助力高速互連，國產供應鏈冉冉升起
編者按：方正證券發布研報指出，機器學習及AI相關應用對數據處理能力提出了更高的要求，催生高帶寬需求，先進封裝實現超越摩爾定律，助力芯片集成度的進一步提高。先進封裝市場格局呈現出明顯的馬太效應，Fab/IDM廠和OSAT錯位競爭。先進封裝技術趨勢在于提高I/O數量及傳輸速率，以實現芯片間的高速互聯。
研報摘要如下：
高帶寬需求推動先進封測占領市場。機器學習及AI相關應用對數據處理能力提出了更高的要求，催生高帶寬需求，先進封裝實現超越摩爾定律，助力芯片集成度的進一步提高。根據Yole，2014年先進封裝占全球封裝市場的份額約為39%，2022年占比達到47%，預計2025年占比將接近于50%。在先進封裝市場中，2.5D/3D封裝增速最快，2021-2027年CAGR達14.34%，增量主要由AI、HPC、HBM等應用驅動。
先進封裝市場格局呈現出明顯的馬太效應，Fab/IDM廠和OSAT錯位競爭。2016年先進封裝市場CR5占比48%，2021年提升至76%，強者恒強。Fab/IDM廠和OSAT廠各自發揮自身優勢，Fab/IDM廠憑借前道制造優勢和硅加工經驗，主攻2.5D或3D封裝技術，而OSAT廠商則聚焦于后道技術，倒裝封裝仍是其主要產品。封測技術主要指標為凸點間距（Bump Pitch），凸點間距越小，封裝集成度越高，難度越大。從凸點間距來看，臺積電3D Fabric技術平臺下的3D SoIC、InFO、CoWoS均居于前列，其中3D SoIC的凸點間距最小可達6um，居于所有封裝技術首位。
先進封裝技術趨勢在于提高I/O數量及傳輸速率，以實現芯片間的高速互聯。
1）鍵合技術：為滿足高集成度芯片封裝需求，混合鍵合成為趨勢。混合鍵合技術可以實現10um以內的凸點間距，而目前的倒裝技術回流焊技術最小可實現40-50um左右的凸點間距。
2）RDL：RDL重布線是晶圓級封裝的核心技術。RDL將芯片內部電路接點重新布局，形成面陣列排布，實現芯片之間的緊密連接。目前，封測廠主要采用電鍍法來制造RDL，而大馬士革法則可以滿足低L/S的要求。
3）TSV：2.5D/3D封裝的關鍵工藝。2.5D/3D封裝中通過中介層連接多個芯片，TSV則是連接中介層上下表面電氣信號的通道。
4）臨時鍵合/解鍵合：隨著圓級封裝向大尺寸、三維堆疊和輕薄化的方向發展，臨時鍵合/解鍵合工藝成為一種新的解決方案，用于超薄晶圓支撐與保護。
國產供應鏈梳理：
1）封測廠：積極布局先進封裝技術，產品+客戶雙線推進。建議關注長電科技、通富微電、甬矽電子。
2）封測設備：國產替代走向深水區，后道設備新品進度喜人。建議關注拓荊科技、芯源微、華海清科、新益昌、中微公司、盛美上海。
3）封測材料：國產化空間巨大，技術壁壘高企，疊加長驗證周期鑄就優質競爭格局。建議關注興森科技、天承科技、華海誠科。
風險提示：下游需求復蘇不及預期；行業競爭加劇；中美貿易摩擦加劇。
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