新火種
2023-09-19 
在太空造GaN？一次可產(chǎn)500片！
眾所周知，目前氮化鎵單晶生長(zhǎng)缺陷太高，尺寸太小，難以滿足大功率器件設(shè)計(jì)需求，為了推動(dòng)氮化鎵單晶技術(shù)的研發(fā)，有企業(yè)提出要去外太空長(zhǎng)晶，而且馬上將出發(fā)。
據(jù)臺(tái)媒9月14日?qǐng)?bào)道，一家英國(guó)企業(yè)正在尋求通過埃隆馬斯克的SpaceX星鏈衛(wèi)星在太空中進(jìn)行氮化鎵晶體生長(zhǎng)。衛(wèi)星將在今年年底前發(fā)射，據(jù)說太空中生產(chǎn)的一批GaN單晶產(chǎn)能可達(dá)500片。
這家太空芯片制造新創(chuàng)公司CEO惠騰表示，在太空生產(chǎn)的氮化鎵會(huì)更好，比如通常5G基地中，氮化鎵的轉(zhuǎn)化效率約為8%，如果透過太空制造，我們認(rèn)為氮化鎵可以將效率提高到25%以上。
該公司進(jìn)一步解釋道，這是因?yàn)樘罩械奈⒅亓妥匀桓叨日婵盏慕Y(jié)合，創(chuàng)造了更好的制造環(huán)境，可以創(chuàng)造更大的單晶結(jié)構(gòu)，這使熱能更容易散發(fā)，電子更容易穿越，從而使得SiC/GaN效能提升十倍甚至百倍。
太空芯片制造新創(chuàng)公司于2018年在英國(guó)成立，致力于在太空制造以氮化鎵為代表的第三代半導(dǎo)體。
據(jù)悉，利用衛(wèi)星在太空制造半導(dǎo)體的周期約為兩周到六個(gè)月，內(nèi)部的自動(dòng)化系統(tǒng)會(huì)制造出高性能的氮化鎵單晶，之后返回地球。該公司估計(jì)，一趟飛行產(chǎn)制的結(jié)晶材料可以制作500片襯底片。
惠騰表示，一旦在太空中成功制造出高良率的氮化鎵晶體，我們就可以在地球上有效的復(fù)制生長(zhǎng)，因此不需要無(wú)數(shù)次去太空，未來(lái)我們將與合作伙伴和客戶可以一起合作開發(fā)。
該公司表示，這種氮化鎵單晶的制造方式還能應(yīng)用在太陽(yáng)能板或鋰電池的材料上。
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