英飛凌:已成功研發出全球首款12英寸氮化鎵(GaN)晶圓技術
觀點網訊:9月12日消息,英飛凌宣布開發出全球首款12英寸氮化鎵(GaN)功率晶圓技術,希望滿足高能耗人工智能數據中心和電動汽車中使用的功率半導體快速增長的需求。
另據該公司表示,首批予客戶的試用樣板將會在明年第四季推出,并指使用更大的氮化鎵晶圓進行芯片生產將更有效率。
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